Справка
Родилась 02.09.1947, д. Большие Шестаки, Дятловский район, Гродненская область. Физик, специалист в области физики полупроводников. Кандидат физико-математических наук (1982), старший научный сотрудник (1988).
Образование: Белорусский государственный университет (специальность "Физика", 1972; аспирантура, 1977).
Научные интересы: влияние радиационного воздействия на параметры полупроводников; влияние упругих одноосных деформаций на электрофизические свойства полупроводников; применение радиационного воздействия в технологии полупроводниковых материалов и приборов; рекомбинационные процессы в полупроводниках.
Место работы, должность: Белорусский государственный университет (физический факультет, кафедра энергофизики, старший научный сотрудник). Информация на 2017.
Е-mail: tarasik@bsu.by
Вариантная форма
| Tarasik, Mariâ Iosifovna (род. 1947) |
См. также
Источники информации
Рекомбинация на дефектах структуры в кремнии и германии при одноосном давлении : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 : защищена 27.04.1982 : утверждена 27.10.1982 / Тарасик Мария Иосифовна. — Минск, 1981.
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезохоллэффекта / М. И.Тарасик, Д. С. Шварков, А. М. Янченко // Физика и техника полупроводников. — 1988. — Т. 22, № 1. — С. 97—100.
Фотолюминесценция нелегированного полуизолирующего арсенида галлия, термообработанного при избыточном давлении паров мышьяка / М. И. Тарасик, Чень Чао, В. А. Быковский // Физика и техника полупроводников. — 1994.— Т. 28, № 1. — С. 35—40.
Influence of hydrogen plasma treatment on electric properties of polycrystallineCdSxSe1-x films / S. Manego [et al.] // Solid State Phenomena. — 1999. — Vol. 67/68. — P. 509—514.
Анкета ученого.
Тарасик Мария Иосифовна // Физический факультет / Белорусский государственный университет. — Минск, 2008. — С. 184.
Сайт физического факультета Белорусского государственного университета.
Электронный каталог Фундаментальной библиотеки БГУ.
Электронная библиотека БГУ.
