Справка
Родился 14.07.1956, гор. пос. Ивье, Гродненская область. Физик, специалист в области физики полупроводников. Кандидат физико-математических наук (1989).
Образование: Белорусский государственный университет (факультет радиофизики и электроники, специальность "Радиофизика", 1978; аспирантура, специальность "Физика полупроводников", 1988).
Научные интересы: спектроскопия кремния; окисел кремния; исследование процессов дефектообразования в монокристаллическом кремнии.
Место работы, должность: Белорусский государственный университет (с 1978, физический факультет, кафедра физики полупроводников и наноэлектроники, ведущий научный сотрудник). Информация на 2017.
Вариантная форма
| Brinkevič, Dmitrij Ivanovič (род. 1956) |
| Brinkevich, D. I. (род. 1956) (английский язык) |
См. также
Источники информации
Радиационные и термические дефекты в кремнии, легированном изовалентными примесями : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 : защищена 8.12.1989 : утверждена 18.04.1990 / Бринкевич Дмитрий Иванович. — Минск, 1989.
Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич [и др.]. — Новополоцк, 2003.
Formation of radiation defects in silicon at high-energy implantation / D. I. Brinkevich [et. al.] // Vacuum : Surface engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology. — 2005. — Vol. 78, iss. 2/4. — P. 251—254.
Анкета ученого.
Бринкевич Дмитрий Иванович // Физический факультет / Белорусский государственный университет. ― Минск, 2008. — С.
Сайт Белорусского государственного университета.
Электронная библиотека БГУ.
Сайт "eLIBRARY.RU".
