unicat.nlb.by  
На главную

Справка

Павлюковец, Сергей Анатольевич (кандидат технических наук ; электроника ; род. 1984)

    Родился 24.06.1984, г. Иваново, Брестская область. Специалист в области технологии и оборудования для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Кандидат технических наук (2013), доцент (2015).
    Образование: Минский государственный высший радиотехнический колледж (специальность "Микроэлектроника", 2004), Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (магистратура, специальность "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах", 2008; аспирантура, 2011), Академия управления при Президенте Республики Беларусь (специальность "Государственное управление и право", 2015).
    Научные интересы: синтез, выращивание и исследование свойств сложных полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.
    Место работы, должность: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (2014–2016, кафедра химии, заведующий кафедрой), Белорусская государственная академия связи (с 2016, факультет электросвязи, кафедра математики и физики, заведующий кафедрой). Информация на 2018.
    E-mail: s.pauliukavets@gmail.com

        Вариантная форма
    Pauliukavets, Siarhei A. (род. 1984) (английский язык)
    Pavlûkovec, Sergej Anatol'evič (род. 1984)

        См. также
    Белорусская государственная академия связи (Минск). Факультет электросвязи
    Паўлюкавец, Сяргей Анатольевіч (кандыдат тэхнічных навук ; электроніка ; нар. 1984) (на другом языке)

        Источники информации
    Выращивание и свойства монокристаллов халькогенидов FeIn2S4 и FeIn2Se4 для широкополосных фотопреобразователей : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06 : защищена 20.06.2013 : утверждена 16.10.2013 / Павлюковец Сергей Анатольевич. — Минск, 2012.
    Выращивание и свойства монокристаллов Cu2ZnSnS4 / И. В. Боднарь [и др.] // Доклады БГУИР. — Минск, 2015. — № 5. — C. 19—24.
    Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn5S8)1-x(FeIn2S4)x / И. В. Боднарь [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2016. — Т. 50, № 2. — С. 154—157.
    Growth, optical, magnetic and electrical properties of cufe2.33In9.67S17.33single crystal / Bodnar I. V. [et al.] // Materials Research Express. — 2015. — Vol. 2, № 8. — P. 085901.
    Анкета ученого.
    Сайт Белорусской государственной академии связи.
    Сайт "eLIBRARY".