unicat.nlb.by  
На главную

Справка

Гайдук, Петр Иванович (доктор физико-математических наук ; физика ; род. 1958)

    Родился 18.11.1958, д. Семеньковичи, Борисовский район, Минская область. Физик, специалист в области физики конденсированного состояния. Доктор физико-математических наук (2005), доцент (1997).
    Образование: Белорусский государственный университет (специальность "Физика", 1980; аспирантура, 1984).
    Научные интересы: материаловедение; микро- и наноэлектроника; физика и технология низкоразмерных структур; радиационные эффекты в полупроводниках.
    Место работы, должность: Белорусский государственный университет (в 1982–1994 – Научно-исследовательский институт физико-химических проблем, старший научный сотрудник, с 1994 – факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий, профессор). Информация на 2023.

        Вариантная форма
    Gaiduk, P. I. (род. 1958) (английский язык)
    Gajduk, Petr Ivanovič (род. 1958)

        См. также
    Белорусский государственный университет (Минск). Факультет радиофизики и компьютерных технологий
    Гайдук, Пётр Іванавіч (доктар фізіка-матэматычных навук ; фізіка ; нар. 1958) (на другом языке)

        Источники информации
    Процессы формирования низкоразмерных структур в материалах твердотельной электроники при ионно-лучевых воздействиях : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 : защищена 29.04.2005 : утверждена 19.10.2005 / Гайдук Петр Иванович. — Минск, 2005.
    Nanovoids in MBE grown SiGe alloys in-situ implanted with Ge+ ions / P. I. Gaiduk [et al.] // Physical Review B. — 2003. — Vol. 67, iss. 23. — Id. 235310 (p. 1—7).
    Strain-relaxed SiGe/Si heteroepitaxial structures of low threading-dislocation density / P. I. Gaiduk, A. Nylandsted Larsen, J. Lundsgaard Hansen // Thin Solid Films. — 2000. — Vol. 367, iss. 1/2. — P. 120—125. — Сведения доступны также по Интернету: http://144.206.159.178/FT/1035/12222/14055263.pdf.
    Structural and electrical properties of silicon dioxide layers with embedded germanium nanocrystals grown by molecular beam epitaxy / A. Kanjilal [et.al.] // Applied Physics Letters. — 2003. — Vol. 82, iss. 8. — P. 1212—1214. — Сведения доступны также по Интернету: http://scitation.aip.org/journals/doc/APPLAB-ft/vol_82/iss_8/1212_1.html.
    Анкета ученого.
    Гайдук Петр Иванович // Факультет радиофизики и компьютерных технологий / Белорусский государственный университет. — Минск, 2011. — С. 87—88.
    Сайт Белорусского государственного университета.
    Электронный каталог Фундаментальной библиотеки БГУ.
    Электронная библиотека БГУ.