Справка
Родился 03.05.1947, г. Петропаловск-Камчатский, Россия. Физик, специалист в области физики полупроводников. Кандидат физико-математических наук (1986), доцент (1988).
Образование: Белорусский государственный университет (специальность "Физика", 1970).
Научные интересы: радиационная физика полупроводников.
Место работы, должность: Белорусский государственный университет (с 1970, Юридический колледж, кафедра естественнонаучных дисциплин, доцент, в 2003–2012 – заведующий кафедрой, 2001–2003 – земеститель директора колледжа). Информация на 2018.
Вариантная форма
| Tolstyh, Vladimir Petrovič (род. 1947) |
| Tolstykh, V. P. (род. 1947) (английский язык) |
См. также
Источники информации
Влияние условий имплантации на образование парамагнитных дефектов в кремнии : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Толстых Владимир Петрович. — Минск, 1986.
Деятельность преподавателя на занятиях : методические рекомендации по проведению и контролю учебных занятий / [И. Р. Веренчиков и др.]. — Минск, 2008.
The amorphous phase paramagnetic centers distribution in Silicon by P+ and Ar+ ions / V. P. Tolstykh // Ion implantation and other application of ions and elektrons : II international symposium ION' 98, Kazimierz Dolny, Poland, June 16—19, 1998. — Lublin, [1998]. — P. 25—26.
Анкета ученого.
Сайт Юридического колледжа Белорусского государственного университета.
Электронный каталог Фундаментальной библиотеки БГУ.
Электронная библиотека БГУ.
