СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

Справка

    Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. В 2006 г. Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова.

        Варианты наименования

ИФП СО РАН (Новосибирск) (сокращение)

Российская академия наук. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова (Новосибирск)

        См. также

Институт физики полупроводников (Новосибирск) (предыдущий заголовок)

        Источники информации
    Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / [Ф. А. Кузнецов и др.]. — Новосибирск, 2013.
    Сайт Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова.