unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

Справка

Институт физики полупроводников (Новосибирск)

    Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. В 2006 г. Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова.

        Варианты наименования
    Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)
    Российская академия наук. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников (Новосибирск)

        См. также
    Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова (Новосибирск) (последующий заголовок)

        Источники информации
    Сайт Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова.

Чтобы вернуться назад, щелкните кнопку BACK на Вашем браузере