СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

Справка

    Физик, специалист в области физики полупроводников и микрофотоэлектроники. Кандидат физико-математических наук (1989). Выпускник физического факультета Новосибирского государственного университета (1975). Научный сотрудник лаборатории № 28 физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6 Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, г. Новосибирск (информ. на 2023 г.).
    Научные интересы: исследование фотоэлектрических свойств диэлектриков и тройных соединений кадмий – ртуть – теллур; разработка физико-технологических основ создания фотоприемных структур на основе КРТ.

        Вариантная форма имени

Vasil'ev, V. V. (кандидат физико-математических наук, физика полупроводников ; род. 1952)

Vasiliev, V. V. (кандидат физико-математических наук, физика полупроводников ; род. 1952) (английский язык)

Vasilyev, V. V. (кандидат физико-математических наук, физика полупроводников ; род. 1952) (английский язык)

Васильев, В. В. (кандидат физико-математических наук, физика полупроводников ; род. 1952)

        Источники информации
    Фотолюминесценция аморфных слоев нитрида кремния : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Васильев Владимир Васильевич. ― Новосибирск, 1989.
    Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. — Новосибирск, 2001. — Среди авторов Васильев В. В.
    Сайт Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Дата обращения: 05.09.2023.