СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

=LDR  00000cx\\b2200229\\\45\\
=001  BY-SEK-ar1591050
=005  20150219103817.2
=100  \\$a20100505arusy50\\\\\\ca0
=102  \\$aRU
=150  \\$ay
=152  \\$apsbo$bBY-auth
=106  \\$a0
=210  02$aИнститут физики полупроводников имени А. В. Ржанова$cНовосибирск
=300  0\$aИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. В 2006 г. Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова.
=410  02$aРоссийская академия наук$bСибирское отделение$bИнститут физики полупроводников имени А. В. Ржанова$cНовосибирск
=410  02$5d$aИФП СО РАН$cНовосибирск
=510  02$5a$3BY-SEK-988313$aИнститут физики полупроводников$cНовосибирск
=801  \2$aBY$bBY-HM0005$c20150219
=801  \0$aBY$bSEK$c20100505
=810  \\$aФундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / [Ф. А. Кузнецов и др.]. — Новосибирск, 2013.
=856  4\$uhttp://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&sub_part=15$zСайт Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова.
=999  \\$g16 cnb-nbo$t20150219