СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

=LDR  00000cx\\a22002413\\45\\
=001  BY-SEK-ar14309211
=005  20221020095031.1
=100  \\$a20220909arusy50\\\\\\ca0
=101  \\$arus
=102  \\$aRU
=120  \\$aba
=152  \\$aRCR$bBY-auth
=106  \\$a0
=200  \1$aОльшанецкий$bЕ. Б.$gЕвгений Борисович$cкандидат физико-математических наук
=340  \\$aКандидат физико-математических наук (1994). Старший научный сотрудник лаборатории физики низкоразмерных электронных систем Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск) (информ. 2022 г.).
=340  \\$a20 сентября 2022 г. защита диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности "1.3.11 – Физика полупроводников".
=801  \2$aBY$bBY-HM0000$c20221019
=801  \0$aBY$bSEK$c20220909
=810  \\$aТранспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe : автореферат диссертации ... доктора физико-математических наук : 1.3.11 / Ольшанецкий Евгений Борисович. — Новосибирск, 2022.
=856  4\$uhttp://aleph.rsl.ru/$zБД «Каталог диссертаций» Российской государственной библиотеки.$zДата обращения: 19.10.2022.
=856  4\$uhttp://elibrary.ru/defaultx.asp$zНаучная электронная библиотека «eLIBRARY.RU».$zДата обращения: 19.10.2022.
=856  4\$uhttps://www.isp.nsc.ru/33-institute/nauchnye-podrazdeleniya/laboratoriya-26$zСайт Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.$zДата обращения: 19.10.2022.
=999  \\$g1438 NLB-NDARD$t20221019