СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

=LDR  00000cx\\a22002413\\45\\
=001  BY-SEK-ar13398987
=005  20190213104545.9
=100  \\$a20181203arusy50\\\\\\ca0
=101  \\$arus$auzb
=102  \\$aUZ
=120  \\$aba
=152  \\$aRCR$bBY-auth
=106  \\$a0
=200  \1$aТурсунов$bИ. Г.$gИкромжон Гуламжонович$cкандидат физико-математических наук
=340  \\$aУзбекский физик. Кандидат физико-математических наук, доцент. Место работы: кафедра общей физики, Национальный университет Узбекистана, г. Ташкент (информ. на 2018 г.).
=340  \\$aОбласть научных интересов: физика полупроводников.
=400  \1$aТурсунов$bИ. Г.$gИкромжон Гуламжанович
=801  \2$aBY$bBY-HM0000$c20190213
=801  \0$aBY$bSEK$c20181203
=810  \\$aТензостимулированные явления в компенсированном кремнии и в поверхностно-барьерных диодных структурах на его основе : автореферат диссертации доктора (DSc) физико-математических наук : 01.04.10 / Турсунов Икромжон Гуламжонович. — Андижан, 2018.
=856  4\$uhttp://www.nuu.uz/rus/info/structure/faculties/phys/10$zСайт Национального университета Узбекистана.$zФорма отчества: Гуламжанович.$zДата обращения: 13.02.2019.
=856  4\$uhttps://nauchforum.ru/conf/tech/xix/40898$zСайт "Научный форум".$zДата обращения: 13.02.2019.
=999  \\$g3426 NLB-NDARD$t20190213