СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

=LDR  00000cx\\a22002293\\45\\
=001  BY-SEK-530606
=005  20130122082910.9
=100  \\$a20090520arusy0201\\\\ca0
=101  \\$arus$aeng
=102  \\$aRU
=120  \\$aaa
=152  \\$apsbo$bBY-auth
=106  \\$a0
=200  \1$aОрлова$bЕ. Е.$gЕкатерина Евгеньевна$cкандидат физико-математических наук, электроника
=340  \\$aРоссийский специалист в области электроники. Кандидат физико-математических наук (2002). Окончила радиофизический факультет Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (1989). В 1989 –1990 – инженер Научно-исследовательского радиофизического института, 1990–1992 – стажер-исследователь отдела физики полупроводников Института прикладной физики РАН, с 1993 – научный сотрудник отдела физики полупроводников Института физики микроструктур РАН (информ. на 2012 г.).
=340  \\$aНаучные интересы: неравновесная населенность примесных состояний в полупроводниках; усиление терагерцового излучения; электродинамика полупроводниковых лазеров; примесные Раби-атомы.
=400  \1$8ruseng$7ca0yba0a$aOrlova$bE. E.
=801  \2$aBY$bBY-HM0000$c20130119
=801  \0$aBY$bSEK$c20090520
=810  \\$aНеравновесная населенность мелких примесных состояний в полупроводниках и усиление излучения длинноволнового инфракрасного диапазона : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Орлова Екатерина Евгеньевна. — Нижний Новгород, 2002.
=856  4\$uhttp://ipmras.ru/ru/structure/people/orlova$zСайт Института физики микроструктур РАН.
=999  \\$g3427 NLB-NDARD$t20130119