СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ	История поисков

=LDR  00000cx\\a22002533\\45\\
=001  BY-CNB-a348691
=005  20230518161618.3
=100  \\$a20090612arusy50\\\\\\ca0
=101  \\$arus$aeng
=102  \\$aRU$aUS
=120  \\$aba
=152  \\$apsbo$bBY-auth
=106  \\$a0
=200  \1$8ruseng$7ca0yba0e$aGusev$bE. P.$gEvgeni P.$cфизик
=340  \\$aАмериканский и российский физик, специалист в области физики твердого тела. Кандидат физико-математических наук (1991). Окончил Московский инженерно-физический институт (1988) и аспирантуру при нем (1990). С 1993 г. – в Ратгерском университете, США. С 1997 г. – приглашенный профессор в Университете Хиросимы, Япония. Вскоре после этого приглашен на работу в компанию IBM, США. С 2005 г. работает в компании "Qualcomm", США (информ. на 2023 г.).
=340  \\$aНаучные интересы: диэлектрические материалы; соединения гафния, кремния, германия; полевые транзисторы; электростатические устройства; элементарные полупроводники; тонкие пленки с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и др.
=400  \1$8rusrus$aГусев$bЕ. П.$gЕвгений Петрович$cфизик
=400  \1$8rusrus$aГусев$bЕ. П.$cфизик
=801  \2$aBY$bBY-HM0005$c20230518
=801  \0$aBY$bSEK$c20090612
=810  \\$aDefects in high-k gate dielectric stacks : nano-electronic semiconductor devices / ed. by Evgeni Gusev. — Dordrecht [etc.], 2006.
=856  4\$uhttps://nlr.ru/e-case3/sc2.php/web_gak/lc/25245/45$zГенеральный алфавитный каталог книг на русском языке (1725–1998) Российской национальной библиотеки.$zДата обращения: 18.05.2023.
=856  4\$uhttps://ieeexplore.ieee.org/author/37265123200$zЭлектронная библиотека "IEEE Xplore".$zДата обращения: 18.05.2023.
=999  \\$g03048 cnb-okv$t20230518