unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

   Запрос: a001a="BY-SEK-327240"
   Записи: 1 - 7 из 7 (стр. 1 из 1)

Сортировать по: 
Дата Автор Заглавие
2006   Влияние деформаций на изменение структуры поверхности кремния при облучении ионами 86 Kr с энергией 253 МэB / Л. А. Власукова [и др.]
1995 Власукова, Людмила Александровна (кандидат физико-математических наук, физик ; род. 1950) Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика твердого тела / Власукова Людмила Александровна ; Белорусский государственный университет
1999 Акимов, А. Н. Дефектно-примесный состав арсенида галлия и методы его анализа : Учеб.пособие / А.Н.Акимов,Л.А.Власукова,Ф.Ф.Комаров
2021   Перспективные материалы и технологии / [С. М. Алдошин и др.] ; под редакцией В. В. Рубаника ; Национальная академия наук Беларуси, Институт технической акустики
1995 Власукова, Людмила Александровна (кандидат физико-математических наук, физик ; род. 1950) Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : Автореф.дис....канд.физ.-мат.наук ; Белорус.гос.ун-т
1999 Акимов, Александр Николаевич (кандидат физико-математических наук) Дефектно-примесный состав арсенида галлия и методы его анализа : учебное пособие для специальности "Физическая электроника" / А. Н. Акимов, Л. А. Власукова, Ф. Ф. Комаров
1995 Власукова, Людмила Александровна (кандидат физико-математических наук, физик ; род. 1950) Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / БГУ
Записей на стр.