unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

   Запрос: a001="BY-NLB-ar6882"
   Записи: 1 - 20 из 174 (стр. 1 из 9)

Сортировать по: 
Дата Автор Заглавие
2000 Якимова, Елена Владиленовна Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Якимова Елена Владиленовна ; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
1977 Курилович, Николай Федорович (физик) Влияние условий облучения на характер радиационных нарушений в монокристаллах арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика твердого тела / Курилович Николай Федорович ; Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук БССР
1981 Кольченко, Тамара Ивановна (кандидат физико-математических наук) Электрические свойства арсенида галлия, содержащего радиационные нарушения структуры : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Кольченко Тамара Ивановна ; Министерство высшего и среднего специального образования БССР, Белорусский государственный университет им. В. И. Ленина
1978 Пешко, Анатолий Яковлевич (физик) Исследование положительной температурной зависимости излучения в оптоэлектронных структурах на основе арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Пешко Анатолий Яковлевич ; Академия наук Белорусской ССР, Институт электроники
2000 Козин, Игорь Эдуардович Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах АIIIBV с пониженной размерностью : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Козин Игорь Эдуардович ; [С.-Петерб. гос. ун-т]
2001 Егоров, Вячеслав Анатольевич Полупроводниковые структуры для волоконно-оптических линий связи, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностями : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Егоров Вячеслав Анатольевич ; Ин-т аналит. приборостроения
1970 Шиенок, Г. Г. (физик) Влияние высокого давления на спектры рекомбинационного излучения, фотоэдс и вольтамперные характеристики Р-П-переходов на основе фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.049 Физика полупроводников и диэлектриков / Г. Г. Шиенок ; Академия наук БССР, Ученый совет по физике Отделения физико-математических наук
2007 Торхов, Николай Анатольевич Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Торхов Николай Анатольевич ; [НИИ полупроводниковых приборов, г. Томск]
1974 Матяс, Эмма Еремеевна (кандидат физико-математических наук, физик) Физические и физико-химические свойства сплавов GaAs-GaSb : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Матяс Эмма Еремеевна ; Академия наук Белорусской ССР, Ученый совет по физике Отделения физико-математических наук
1987 Барасьев, Сергей Владимирович Разработка низкотемпературных процессов формирования плазменных анодных окислов арсенида галлия для изготовления ИМС : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 : 04.06.1987 / Барасьев Сергей Владимирович ; Минский радиотехнический институт
1996 Величко, Олег Иванович (доктор физико-математических наук, физик ; род. 1953) Моделирование процессов совместной диффузии примесных атомов и собственных точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Величко Олег Иванович ; Белорусский государственный университет
1990 Станев, Николай Стефанов Фоновые примеси и структурные дефекты в системе полуизолирующая подложка ― эпитаксиальная пленка GaAs и методы их технологического контроля : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 01.04.10 / Станев Николай Стефанов ; Белорусский государственный университет им. В. И. Ленина
1992 Аствацатурьян, Евгений Раффиевич Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия
2011 Дунаев, Александр Валерьевич Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04 / Дунаев Александр Валерьевич ; [ГОУ ВПО "Ивановский государственный химико-технологический университет"]
1988   Арсенид галлия в микроэлектронике : перевод с английского / У. Уиссмен [и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена
2011 Иванин, Константин Валерьевич Особенности электронной и спиновой динамики в граничном слое гетероструктуры AlGaAs/GaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.11 / Иванин Константин Валерьевич ; [Казанский физико-технический им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН]
2011 Пономарев, Иван Викторович Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Пономарев Иван Викторович ; [Национальный исследовательский Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова]
2013 Ахундов, Игорь Олегович Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Ахундов Игорь Олегович ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
2017 Арустамян, Давид Арсенович Кристаллизация и свойства гетероструктур InGAPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Арустамян Давид Арсенович ; [Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова]
2018 Казакова, Алена Евгеньевна Исследование твердых растворовAIInGaPAs, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Казакова Алена Евгеньевна ; [Южно-Российский государственный политехнический университет им. М. И. Платова]
Записей на стр.
Перейти к стр.:      1    >>