| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
1993 |
Олендский, Олег Збигневич |
Моделирование воздействия внешних электромагнитных полей на элементы наноструктур : Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук:(05.13.16) / Белорус.гос.ун-т |
|
2000 |
Козин, Игорь Эдуардович |
Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах АIIIBV с пониженной размерностью : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Козин Игорь Эдуардович ; [С.-Петерб. гос. ун-т] |
|
2000 |
Кудряшов, Игорь Вениаминович |
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Кудряшов Игорь Вениаминович ; Физ.-мат. ин-т им. А.Ф.Иоффе Рос. акад. наук |
|
2001 |
Егоров, Вячеслав Анатольевич |
Полупроводниковые структуры для волоконно-оптических линий связи, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностями : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Егоров Вячеслав Анатольевич ; Ин-т аналит. приборостроения |
|
2001 |
Труханов, Евгений Михайлович |
Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка-подложка : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Труханов Евгений Михайлович ; [Ин-т полупроводников, Сиб. отд-ние РАН] |
|
1986 |
Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (4 ; 1986 ; Минск) |
IV Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 27―29 мая 1986 г., [г. Минск] : тезисы докладов. — Ч. 2 |
|
1986 |
Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (4 ; 1986 ; Минск) |
IV Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, 27―29 мая 1986 г., [г. Минск] : тезисы докладов. — Ч. 1 |
|
1991 |
|
Всесоюзная конференция по фотоэлектрохимии и фотокатализу,3-6 февраля 1992г. : Тез.докл. / МНТК "Катализатор".Сиб.отд-ние АН СССР,Отд.хим.о-ва им.Д.И.Менделеева РБ,БГУ и др |
|
2011 |
Козырев, Антон Андреевич (кандидат технических наук, электроника) |
Разработка покрытий для защиты полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 / Козырев Антон Андреевич ; [Саратовский государственный технический университет] |
|
1991 |
|
Physics and technology of heterojunction devices / edited by D. Vernon Morgan and Robin H. Williams |
|
2011 |
Иванин, Константин Валерьевич |
Особенности электронной и спиновой динамики в граничном слое гетероструктуры AlGaAs/GaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.11 / Иванин Константин Валерьевич ; [Казанский физико-технический им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН] |
|
2012 |
Шепель, Денис Вячеславович |
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в низкоразмерных гетероструктурах Si/SiGe/Si : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Шепель Денис Вячеславович ; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук |
|
2011 |
Серебренникова, Ольга Юрьевна |
Создание и исследование онтоэлектронных приборов в средней инфракрасной области спектра на основе узкозонных гетероструктур А³В5 : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Серебренникова Ольга Юрьевна ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе] |
|
2012 |
Мухин, Михаил Сергеевич |
Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Мухин Михаил Сергеевич ; [Учреждение Российской академии наук Санкт-Петербургский Академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук] |
|
2012 |
Дьячков, Николай Владимирович |
Параметры Стокса излучения мощных поперечно-одномодовых квантоворазмерных InGaAs/AlGaAs — гетеролазеров : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.21 Лазерная физика / Дьячков Николай Владимирович ; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук |
|
2012 |
Юрасов, Дмитрий Владимирович (кандидат физико-математических наук ; род. 1985) |
Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юрасов Дмитрий Владимирович ; [Институт физики микроструктур Российской академии наук] |
|
2013 |
Барановский, Максим Владимирович |
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Барановский Максим Владимирович ; [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина)] |
|
2013 |
Номан Мустафа Абдулла Али |
Мониторинг конструкторско-технологических параметров полупроводниковых гетероструктур с использованием цифровой обработки изображений их поверхности : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.12.04 Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения / Номан Мустафа Абдулла Али ; [Владимирский государственный университет им. А. Г. и Н. Г. Столетовых] |
|
2013 |
Романов, Вячеслав Витальевич |
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Романов Вячеслав Витальевич ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2014 |
Горошко, Дмитрий Львович (кандидат физико-математических наук) |
Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Горошко Дмитрий Львович ; [Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ