| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2012 |
|
Advanced metallizations in microelectronics : symposium held April 16-20, 1990, San Francisco, California, USA / Materials Research Society ; editors: Avishay Katz, Shyam P. Murarka, Ami Appelbaum |
|
2023 |
Echresh, Ahmad |
Highly-doped germanium nanowires: fabrication, characterization, and application : vorgelegt der Fakultät Mathematik und Naturwissenschaften der Technischen Universität Dresden zur Erlangung des akademischen Grades Doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) angenommene Dissertation / von Ahmad Echresh |
|
1987 |
Бобченок, Юрий Леонидович (кандидат технических наук, электроника ; интеллектуальная собственность ; род. 1946) |
Формирование омических контактов тугоплавкий металл-кремний при ионной имплантации в область границы раздела : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.2.01) / АН БССР, Ин-т электроники |
|
2016 |
|
Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники / [А. Е. Беляев и др.] ; под редакцией А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой ; Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, Государственное предприятие НИИ "Орион", Украина, Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе |
|
2020 |
Неженцев, Алексей Викторович |
Исследование омических контактов к легированным наногетероструктурам GaAs, InGaAs для полевых и гетеробиполярных СВЧ-транзисторов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Неженцев Алексей Викторович ; [Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"] |
|
2014 |
Новицкий, Сергей Вадимович |
Катодные контакты с диффузионными барьерами TiBx к фосфидиндиевым диодам Ганна : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.01 Приборы и методы экспериментальной физики / Новицкий Сергей Вадимович ; Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева |
|
1995 |
|
Properties of silicon carbide / edited by Gary L. Harris |
|
2018 |
Сим, Павел Евгеньевич |
Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Сим Павел Евгеньевич ; [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР), Национальный исследовательский Томский государственный университет, Научно-производственная фирма "Микран"] |
|
2020 |
Захарченко, Роман Викторович |
Физико-технологические особенности формирования омических контактов для оптоэлектронных приборов на основе GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Захарченко Роман Викторович ; [Национальный исследовательский ядерный университет] |
|
2020 |
Шостаченко, Станислав Алексеевич |
Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Шостаченко Станислав Алексеевич ; [Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ