| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2000 |
Якимова, Елена Владиленовна |
Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Якимова Елена Владиленовна ; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе |
|
1987 |
Барасьев, Сергей Владимирович |
Разработка низкотемпературных процессов формирования плазменных анодных окислов арсенида галлия для изготовления ИМС : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 : 04.06.1987 / Барасьев Сергей Владимирович ; Минский радиотехнический институт |
|
2005 |
Наконечников, Александр Владимирович |
Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства полупроводников для эффективных эмиттеров : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 / Наконечников Александр Владимирович ; [Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л.Хетагурова] |
|
2005 |
Соловьев, Юрий Владимирович |
Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06 / Соловьев Юрий Владимирович ; [ЗАО "Светлана-Электронприбор"] |
|
2004 |
Беспалов, Владимир Александрович (доктор технических наук ; род. 1958) |
Исследование и разработка ИК-фотоприемных и СВЧ интергральных микросхем на основе арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук : 05.27.01 / Беспалов Владимир Александрович ; [Московский государственный институт электронной техники] |
|
1999 |
Сумец, Максим Петрович |
Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Воронеж. гос. технол. акад |
|
1995 |
Каримов, Абдулазиз Вахитович |
Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с тонким квазиизопериодическим переходом : Автореф.дис.на соиск.учен.степ.д-ра физ.-мат.наук : 01.04.10 / АН Респ.Узбекистан,Физ.-техн.ин-т им.С.В.Стародубцева,НПО "Физика-Солнце" им.С.А.Азимова |
|
1999 |
Оджаев, Владимир Борисович (доктор физико-математических наук ; род. 1955) |
Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ин-т физики твердого тела и полупроводников Нац. акад. наук Беларуси |
|
1999 |
Емельяненко, Юрий Савельевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1948) |
Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : 10.12.1999 : 12.04.2000 / Нац. акад. наук Беларуси, Ин-т электроники |
|
1996 |
Статов, Виктор Анатольевич |
Исследование физики межфазных взаимодействий на границе раздела тугоплавкий металл-арсенид галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников |
|
2006 |
Котляров, Юрий Владимирович |
Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.11.14 / Котляров Юрий Владимирович ; [Московский государственный университет приборостроения и информатики] |
|
1995 |
Байдусь, Николай Владимирович |
Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Нижегород. гос. ун-т им Н.И.Лобачевского |
|
2005 |
Севостьянов, Виктор Андреевич |
Автоматизация проектирования микроволновых переключателей на базе арсенид-галлиевого полевого транзистора с затвором шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.13.12 / Севостьянов Виктор Андреевич ; [Рязанская государственная радиотехническая академия] |
|
1999 |
Оджаев, Владимир Борисович (доктор физико-математических наук ; род. 1955) |
Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации : Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 : 17.12.1999 : 23.02.2000 / Бел. гос. ун-т |
|
1990 |
Утенко, Виктор Иванович |
Электрофизические и оптические свойства ядерно легированного арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Утенко Виктор Иванович ; Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР |
|
2005 |
Каримов, Абдулазиз Вахитович |
Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом / А.В.Каримов, Д.М.Ёдгорова ; Академия наук Республики Узбекистан, Физико-технический институт им. С.В.Стародубцева, НПО "Физика-Солнце" |
|
1998 |
Хомич, Андрей Валерьевич (кандидат физико-математических наук) |
Моделирование методом Монте-Карло переноса электронов в слоистых полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.13.16 ; 01.04.04 : 05.03.1999 : 30.06.1999 / БГУ |
|
1992 |
Доросинец, Владимир Адамович (кандидат физико-математических наук ; род. 1958) |
Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Бел. гос. ун-т им. В.И.Ленина |
|
1995 |
Котов, Геннадий Иванович (доктор физико-математических наук) |
Электронные процессы на поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогенов : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Воронеж. гос. ун-т |
|
2003 |
Егоркин, Владимир Ильич (кандидат технических наук) |
Исследование акустического переноса зарядов в гетероструктурах на основе арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : 05.27.01 / Егоркин Владимир Ильич ; [Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т)] |
|
1997 |
|
Structure-phase transformation under ion implantation into GaAs / [Auth.]:A.N.Akimov,L.A.Vlasukova,G.A.Gusakov a.o |
|
1999 |
Чалдышев, Владимир Викторович |
Изовалентное легирование: управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров : Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл. : 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе |
|
1997 |
Едгорова, Дилбара Мустафаевна |
Исследование фотоэлектрических явлений в тонкопереходных структурах в системе арсенид галлия - сульфид кадмия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева, НПО "Физика-Солнце" им. С.А.Азизова |
|
2000 |
Динь, Шон Тхак |
Оптические свойства квантовых точек InАs, выращенных на вицинальных подложках GaАs : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07; 01.04.10 / Динь Шон Тхак ; [С.-Петерб. гос. ун-т] |
|
1999 |
Емельяненко, Юрий Савельевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1948) |
Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Нац. акад. наук Беларуси, Ин-т электроники |
|
2004 |
Кушхов, Аскер Русланович |
Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 / Кушхов Аскер Русланович ; [Московский государственный институт стали и сплавов, Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Бербекова] |
|
2006 |
Гладышев, Андрей Геннадьевич |
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)AS на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Гладышев Андрей Геннадьевич ; [Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2006 |
Полетаев, Николай Константинович |
Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Полетаев Николай Константинович ; Физико-технический институт им. А. И. Иоффе |
|
1999 |
Хомич, Андрей Валерьевич (кандидат физико-математических наук) |
Моделирование методом Монте-Карло переноса электронов в слоистых полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.13.16 ; 01.04.04 / БГУ |
|
1993 |
|
Использование протонного облучения для улучшения свойств полупроводниковых структур с барьером Шоттки на основе GaAs / Л.Грубчин,А.П.Кобзев,Р.Шандрик,Я.Шафранкова |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ