| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
1991 |
|
Physics and technology of heterojunction devices / edited by D. Vernon Morgan and Robin H. Williams |
|
2006 |
Колосницын, Борис Сергеевич (кандидат технических наук) |
Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений : учебно-методическое пособие по дисциплине "Физика полупроводниковых приборов" для студентов специальностей "Квантовые информационные системы" и "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" дневной и заочной форм обучения / Б.С.Колосницын ; Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Кафедра микро- и наноэлектроники |
|
2013 |
Юзеева, Наталия Александровна (кандидат физико-математических наук) |
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGA1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юзеева Наталия Александровна ; [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук] |
|
2018 |
Андрианов, Николай Александрович |
Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Андрианов Николай Александрович ; [Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого] |
|
2012 |
|
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем : учебное пособие для студентов учреждений, обеспечивающих получение высшего образования по специальностям: "Квантовые информационные системы", "Микро- и наноэлектронные технологии и системы" : в 2 ч. / Министерство образования Республики Беларусь, Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". — Ч. 2: Расчет и проектирование полевых транзисторов / Б. С. Колосницын, Н. В. Гапоненко |
|
2012 |
Калинин, Борис Вячеславович |
Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные комплексы микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Калинин Борис Вячеславович ; [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет] |
|
2018 |
Сим, Павел Евгеньевич |
Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Сим Павел Евгеньевич ; [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР), Национальный исследовательский Томский государственный университет, Научно-производственная фирма "Микран"] |
|
2014 |
Аунг Бо Бо Хейн |
Моделирование и оптимизация активных нелинейных радиоэлектронных компонентов на HEMT-транзисторах для монолитных микроволновых интегральных схем миллиметрового диапазона : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Аунг Бо Бо Хейн ; [Национальный исследовательский университет «МИЭТ»] |
|
2018 |
Рубан, Олег Альбертович |
Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Рубан Олег Альбертович ; [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ