| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2013 |
Курмачев, Виктор Алексеевич |
Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Курмачев Виктор Алексеевич ; [Научно-производственное предприятие "Пульсар"] |
|
2014 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2018 |
Сысоева, Светлана Геннадьевна |
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Сысоева Светлана Геннадьевна ; [Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ФГАОУ ВО НИ ТПУ)] |
|
2018 |
Борисов, Евгений Вадимович |
Оптические свойства легированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия и выращенных методом магнетронного распыления оксидов цинка и меди : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Борисов Евгений Вадимович ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный университет |
|
2011 |
Шабунина, Евгения Игоревна |
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Шабунина Евгения Игоревна ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2012 |
Семисалова, Анна Сергеевна |
Особенности магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе Si, InAs, GaN и ZnO : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.11 Физика магнитных явлений / Семисалова Анна Сергеевна ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Физический факультет |
|
2014 |
Ермаков, Виктор Сергеевич |
Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Ермаков Виктор Сергеевич ; [Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова] |
|
2015 |
Александров, Иван Анатольевич |
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Александров Иван Анатольевич ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова] |
|
2015 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский политехнический университет] |
|
2020 |
Seidel, Achim |
Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors : der Fakultät fur Elektrotechnik und Informatik der Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover zur Erlangung des akademischen Grades Doktor-Ingenieur (abgekurzt: Dr.-Ing,) genehmigte Dissertation / Achim Seidel |
|
2022 |
Шугуров, Константин Юрьевич |
Нитевидные нанокристаллы нитрида галлия на кремнии: свойства и приборное применение : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 1.3.2 (01.04.01) Приборы и методы экспериментальной физики / Шугуров Константин Юрьевич ; [Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж. И. Алферова Российской академии наук] |
|
2010 |
Сизов, Виктор Сергеевич |
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сизов Виктор Сергеевич ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе] |
|
2010 |
Беспалов, Алексей Викторович |
Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06 / Беспалов Алексей Викторович ; [Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)] |
|
2012 |
Донсков, Александр Андреевич |
Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.17.01 Технология неорганических веществ / Донсков Александр Андреевич ; [Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллургической промышленности «Гиредмет»] |
|
2013 |
Карабешкин, Константин Валерьевич |
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальности 01.04.04Физическая электроника, 01.04.10 Физика полупроводников / Карабешкин Константин Валерьевич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2016 |
Конаков, Антон Алексеевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1989) |
Спиновое смешивание и электронные переходы в структурах на основе кремния, нитрида галлия и двумерных топологических изоляторов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Конаков Антон Алексеевич ; [Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2017 |
Вергелес, Павел Сергеевич |
Исследование методами растровой электронной микроскопии пленок и гетероструктур на основе нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Вергелес Павел Сергеевич ; [Институт проблем технологии Российской академии наук] |
|
2018 |
Медведев, Олег Сергеевич |
Дислокационная люминесценция в нитриде галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Медведев Олег Сергеевич ; [Санкт-Петербургский государственный университет] |
|
2019 |
|
Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 / Федеральное государственное автономное научное учреждение "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова" Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) ; под общей редакцией П. П. Мальцева |
|
2021 |
Чернодубов, Даниил Андреевич |
Теплопроводность нитрида галлия и структур на его основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Чернодубов Даниил Андреевич ; [Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"] |
|
2009 |
Рябцев, Андрей Геннадьевич (кандидат физико-математических наук) |
Усиленная люминесценция в полупроводниковых лазерах и твердотельных лазерах с диодной накачкой : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.21 : защищена 05.06.09 : утверждена 18.11.09 / Рябцев Андрей Геннадьевич ; научный руководитель Буров Л. И. ; Белорусский государственный университет |
|
2016 |
Ржеуцкий, Николай Викторович (кандидат физико-математических наук) |
Люминесцентные и структурные свойства гетероструктур на основе AlInGaN, выращенных на подложках сапфира и алюмината лития : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.05 Оптика / Ржеуцкий Николай Викторович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2016 |
Крапухин, Дмитрий Владимирович |
Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Крапухин Дмитрий Владимирович ; [Московский технологический университет (МИРЭА)] |
|
2018 |
Андрианов, Николай Александрович |
Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Андрианов Николай Александрович ; [Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого] |
|
2016 |
|
Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники / [А. Е. Беляев и др.] ; под редакцией А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой ; Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, Государственное предприятие НИИ "Орион", Украина, Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе |
|
2001 |
Жмерик, Валентин Николаевич (кандидат физико-математических наук) |
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота: применение для р-легтрования ZnSe и роста GaN : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Жмерик Валентин Николаевич ; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе |
|
1998 |
Мармалюк, Александр Анатольевич (доктор технических наук ; род. 1970) |
Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : 05.27.06 / Моск. гос. акад. тон. хим. технологии им. М.В.Ломоносова |
|
2010 |
Зубелевич, Виталий Зигмундович (кандидат физико-математических наук ; род. 1978) |
Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III) : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.21 / Зубелевич Виталий Зигмундович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2010 |
Карташова, Анна Петровна |
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Карташова Анна Петровна ; Учреждение Российской академии наук "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН, Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова] |
|
2013 |
Рудинский, Михаил Эдуардович |
Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Рудинский Михаил Эдуардович ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук] |
|
2018 |
Дао Динь Ха (кандидат технических наук ; род. 1985) |
Приборно-технологическое моделирование интегральных датчиков Холла на основе кремния, антимонида индия и нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Дао Динь Ха ; Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" |
|
2022 |
Данильчик, Александр Викторович (кандидат физико-математических наук, физик ; род. 1981) |
Лазеры с оптической накачкой и светодиоды на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN на кремниевых подложках : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.21 Лазерная физика / Данильчик Александр Викторович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2011 |
Цюк, Александр Игоревич |
Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Цюк Александр Игоревич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2011 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия : [перевод с английского] / под ред. Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски |
|
2016 |
Ржеуцкий, Николай Викторович (кандидат физико-математических наук) |
Люминесцентные и структурные свойства гетероструктур на основе AlInGaN, выращенных на подложках сапфира и алюмината лития : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.05 Оптика / Ржеуцкий Николай Викторович ; научные руководители : А. Л. Гурский и Е. В. Луценко ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2017 |
Вирко, Максим Викторович |
Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вирко Максим Викторович ; [Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого] |
|
2017 |
Baliga, B. Jayant |
Gallium nitride and silicon carbide power devices / by B. Jayant Baliga |
|
2018 |
Кондратьева, Ольга Николаевна |
Галлий-содержащие ферриты магния: свойства и применение в качестве пленок на подложках GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальностт 02.00.21 Химия твердого тела, 02.00.04 Физическая химия / Кондратьева Ольга Николаевна ; [Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова Российской академии наук] |
|
2018 |
Суродин, Сергей Иванович |
Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Суродин Сергей Иванович ; [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2019 |
Федин, Иван Владимирович |
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Федин Иван Владимирович ; [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)] |
|
2022 |
Данильчик, Александр Викторович (кандидат физико-математических наук, физик ; род. 1981) |
Лазеры с оптической накачкой и светодиоды на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN на кремниевых подложках : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.21 Лазерная физика / Данильчик Александр Викторович ; научный руководитель: Луценко Е. В. ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2009 |
Солонин, Александр Павлович |
Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Солонин Александр Павлович ; Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный университет"] |
|
2011 |
Куэй, Рюдигер (радиоэлектроник ; род. 1971) |
Электроника на основе нитрида галлия : [перевод с английского] / Р. Куэй |
|
2013 |
Новиков, Сергей Игоревич |
Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Новиков Сергей Игоревич ; [Волгоградский государственный технический университет] |
|
2009 |
Рябцев, Андрей Геннадьевич (кандидат физико-математических наук) |
Усиленная люминесценция в полупроводниковых лазерах и твердотельных лазерах с диодной накачкой : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.21 / Рябцев Андрей Геннадьевич ; Белорусский государственный университет |
|
2010 |
Зубелевич, Виталий Зигмундович (кандидат физико-математических наук ; род. 1978) |
Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III) : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.21 : защищена 15.06.10 : утверждена 29.09.10 / Зубелевич Виталий Зигмундович ; научный руководитель Луценко Е. В. ; ГНУ "Институт физики НАН Беларуси" |
|
2013 |
Зарубина, Оксана Николаевна (кандидат химических наук ; род. 1981) |
Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 02.00.04 Физическая химия / Зарубина Оксана Николаевна ; [Национальный исследовательский Томский государственный университет] |
|
2018 |
Рубан, Олег Альбертович |
Влияние процесса структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Рубан Олег Альбертович ; [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова] |
|
2018 |
Дао Динь Ха (кандидат технических наук ; род. 1985) |
Приборно-технологическое моделирование интегральных датчиков Холла на основе кремния, антимонида индия и нитрида галлия : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Дао Динь Ха ; научный руководитель Стемпицкий Виктор Романович ; Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники" |
|
2020 |
Шостаченко, Станислав Алексеевич |
Формирование омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Шостаченко Станислав Алексеевич ; [Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ