unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

   Запрос: a001="BY-NLB-ar2297581"
   Записи: 1 - 34 из 34 (стр. 1 из 1)

Сортировать по: 
Дата Автор Заглавие
2005 Чиж, Александр Леонидович (кандидат физико-математических наук, электроника ; род. 1977) Высокоскоростные P-I-N фотодиоды на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : защищена 18.11.2005 : утверждена 08.02.06 : 05.27.01 / Чиж Александр Леонидович
2000 Козин, Игорь Эдуардович Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах АIIIBV с пониженной размерностью : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Козин Игорь Эдуардович ; [С.-Петерб. гос. ун-т]
1970 Шиенок, Г. Г. (физик) Влияние высокого давления на спектры рекомбинационного излучения, фотоэдс и вольтамперные характеристики Р-П-переходов на основе фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.049 Физика полупроводников и диэлектриков / Г. Г. Шиенок ; Академия наук БССР, Ученый совет по физике Отделения физико-математических наук
2017 Арустамян, Давид Арсенович Кристаллизация и свойства гетероструктур InGAPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Арустамян Давид Арсенович ; [Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова]
2018 Казакова, Алена Евгеньевна Исследование твердых растворовAIInGaPAs, выращенных на подложках арсенида галлия и фосфида индия в поле температурного градиента : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Казакова Алена Евгеньевна ; [Южно-Российский государственный политехнический университет им. М. И. Платова]
2007 Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз ; [Санкт-Петербургски й государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленин)]
2008 Макаренко, Филипп Владимирович Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Cu и Fe : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Макаренко Филипп Владимирович ; [ГОУВПО "Воронежский государственный технический университет"]
2001 Брудный, Валентин Натанович Радиационное дефектообразование в электрических полях : Арсенид галлия, фосфид индия / Том. политехн. ун-т
2007 Тимошенко, Оксана Тарасовна Новая многокомпонетная полупроводниковая система InP-CdS. Ее поверхностные физико-химические свойства : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : ]02.00.04 / Тимошенко Оксана Тарасовна ; [Омский государственный технический университет]
2013 Юзеева, Наталия Александровна (кандидат физико-математических наук) Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGA1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юзеева Наталия Александровна ; [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук]
1999 Емельяненко, Юрий Савельевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1948) Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : 10.12.1999 : 12.04.2000 / Нац. акад. наук Беларуси, Ин-т электроники
2002 Андриевский, Вацлав Францевич (кандидат технических наук, электроника) Высокочувствительные PIN-фотодиодные модули на основе фосфида индия для волоконно-оптических линий связи : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : 05.27.01 / Андриевский Вацлав Францевич ; Гос. науч. учреждение "Ин-т электроники Нац. акад. наук. Беларуси"
2008 Василевский, Юрий Георгиевич (кандидат физико-математических наук, электроника) Двумерная физико-топологическая модель для численного анализа и оптимизации параметров фотодиодов на основе фосфида индия и кремния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Василевский Юрий Георгиевич ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
2005 Чиж, Александр Леонидович (кандидат физико-математических наук, электроника ; род. 1977) Высокоскоростные P-I-N фотодиоды на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 : 18.11.2005 / Чиж Александр Леонидович ; Государственное научное учреждение "Институт электроники Национальной академии наук Беларуси"
2008 Василевский, Юрий Георгиевич (кандидат физико-математических наук, электроника) Пористые полупроводниковые и диэлектрические наноструктурированные материалы, формируемые электрохимическим анодированием : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / Василевский Юрий Георгиевич ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
2011 Камалов, Ихтиер Рамазанович Технология получения эффективных композиционных полупроводниковых материалов и изделий из них для радио- и электронной промышленности : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 02.00.16 / Камалов Ихтиёр Рамазанович ; Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан, Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Государственное унитарное предприятие "Фан ва тараккиет"
2010 Малышев, Сергей Александрович (доктор физико-математических наук ; кандидат технических наук) Высокоскоростные фотодиоды на гетероструктурах на основе арсенида галлия и фосфида индия : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Малышев Сергей Александрович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
2014 Новицкий, Сергей Вадимович Катодные контакты с диффузионными барьерами TiBx к фосфидиндиевым диодам Ганна : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.01 Приборы и методы экспериментальной физики / Новицкий Сергей Вадимович ; Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лошкарева
2017 Мордвинова, Наталья Евгеньевна Коллоидные квантовые точки фосфида индия, легированные цинком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 02.00.01 Неорганическая химия / Мордвинова Наталья Евгеньевна ; [Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова]
2021 Эккерт, Алиса Олеговна Физико-химические свойства твердых растворов системы InP-CdTe. Влияние бинарного компонента — теллурида кадмия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 02.00.04 Физическая химия / Эккерт Алиса Олеговна ; [Научно-образовательный центр "Химические исследования, Омский государственный технический университет"]
2010 Малышев, Сергей Александрович (доктор физико-математических наук ; кандидат технических наук) Высокоскоростные фотодиоды на гетероструктурах на основе арсенида галлия и фосфида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 05.27.01 : защищена 21.12.10 : утверждена 27.04.11 / Малышев Сергей Александрович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
2000 Лешко, Андрей Юрьевич Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Лешко Андрей Юрьевич ; Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе Рос. акад. наук
2008 Мельник, Вячеслав Александрович Влияние комбинированного возбуждения на фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Мельник Вячеслав Александрович ; [ГОУ ВПО "Воронежский государственный технический университет"]
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : дис.... канд. физ.-мат. наук / Уткин Илья Анатольевич ; Нац. акад. наук Беларуси, Отд. опт. проблем информатики
2013 Самсонов, Алексей Алексеевич Термическое оксидирование InP, модифицированного нанесенными композициями оксидов NiO+PbO, V2O5+PbO : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 02.00.01 Неорганическая химия / Самсонов Алексей Алексеевич ; [Воронежский государственный университет]
2016 Томина, Елена Викторовна (кандидат химических наук) Хемостимулированное оксидирование GaAs и InP под воздействием d-металлов (Ni, Co, V), их оксидов и композиций оксидов : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук : специальность 02.00.01 Неорганическая химия / Томина Елена Викторовна ; [Воронежский государственный университет]
2002 Андриевский, Вацлав Францевич (кандидат технических наук, электроника) Высокочувствительные PIN-фотодиодные модули на основе фосфида индия для волоконно-оптических линий связи : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук : защищена 23.05.02 : утверждена 12.03.03 : 05.27.01 / Андриевский Вацлав Францевич
1966 Маковецкая, Лидия Антоновна (физик) Структура и физические свойства полупроводниковых сплавов системы InP – GaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Л. А. Маковецкая ; Академия наук БССР, Объединенный Ученый совет Института физики, Института математики и вычислительной техники, Института физики твердого тела и полупроводников АН БССР
1974 Михневич, Владимир Владимирович (кандидат физико-математических наук) Исследование влияния магнитного поля на рекомбинационное излучение, вольт-амперные характеристики фосфидиндиевых P-П-переходов и на край полосы поглощения фосфида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков / Михневич Владимир Владимирович ; Академия наук Белорусской ССР, Ученый совет по физике Отделения физико-математических наук
1999 Емельяненко, Юрий Савельевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1948) Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Нац. акад. наук Беларуси, Ин-т электроники
2008 Василевский, Юрий Георгиевич (кандидат физико-математических наук, электроника) Двумерная физико-топологическая модель для численного анализа и оптимизации параметров фотодиодов на основе фосфида индия и кремния : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 : защищена 12.12.08 : утверждена 28.01.09 / Василевский Юрий Георгиевич ; научный руководитель Малышев С. А. ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
1994 Dargys, Adolfas Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP
2010 Малышев, Сергей Александрович (доктор физико-математических наук ; кандидат технических наук) Высокоскоростные фотодиоды на гетероструктурах на основе арсенида галлия и фосфида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 05.27.01 / Малышев Сергей Александрович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси"
2022 Волков, Никита Александрович Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Волков Никита Александрович ; [Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха]
Записей на стр.