№ | Дата |
Автор |
Заглавие |
---|
|
2002 |
Дубровский, Владимир Германович |
Кинетические модели формирования пространственно-упорядоченных структур на поверхности твердого тела : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Дубровский Владимир Германович ; С.-Петерб. гос. ун-т |
|
2015 |
Дроздов, Константин Андреевич |
Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Дроздов Константин Андреевич ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Физический факультет |
|
2018 |
Кибирев, Иван Алексеевич |
Электронная структура халькогенидов: реконструкции, тонкие пленки и гетероструктуры : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Кибирев Иван Алексеевич ; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" |
|
1995 |
|
Структуры гетероэпитаксиальные (СГ) твердых растворов: : Рекламный проспект |
|
2012 |
Донсков, Александр Андреевич |
Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.17.01 Технология неорганических веществ / Донсков Александр Андреевич ; [Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллургической промышленности «Гиредмет»] |
|
2015 |
Соболев, Максим Сергеевич |
Гетероэпитаксия упругонапряженных, упругокомпенсированных и метафорфных слоев твердых растворов A³B5 и A³B5-N на поверхности GaAs, GaP и Si : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.01 Приборы и методы эспериментальной физики / Соболев Максим Сергеевич ; [Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН] |
|
2019 |
Кузнецов, Владимир Владимирович |
Межфазные взаимодействия при гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов : монография / В. В. Кузнецов, П. П. Москвин |
|
2024 |
Бычков, Андрей Александрович (кандидат физико-математических наук) |
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур : монография / А. А. Бычков |
|
2002 |
|
Low-dimensional nitride semiconductors / Ed. by B.Gil |
|
2011 |
Филимонова, Нина Ивановна |
Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 01.04.07 / Филимонова Нина Ивановна ; [Новосибирский государственный технический университет] |
|
1981 |
Кейси, Х. |
Лазеры на гетероструктурах : в 2 т. : перевод с английского / Х. Кейси, М. Паниш. — Т. 2: Материалы. Рабочие характеристики |
|
2005 |
|
Quantum dots: fundamentals, applications, and frontiers : [proc. of the NATO advanced research workshop on quantum dots: fundamentals, applications a. frontiers, Crete, Greece, 20-24 July 2003] / ed. by Bruce A.Joyce [et al.] |
|
2010 |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Дзядух Станислав Михайлович ; [Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет", "Сибирский физико-технический институт"] |
|
2002 |
|
Atomistic aspects of epitaxial growth : [proceedings of the NATO advanced research workshop on atomistic aspects of eptaxial growth, Dassia, Corfu, Greece, 25-30 June 2001] / ed. by Miroslav Kotrla [et al.] |
|
2019 |
Федин, Иван Владимирович |
Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 01.04.04 Физическая электроника / Федин Иван Владимирович ; [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)] |
|
2011 |
Куэй, Рюдигер (радиоэлектроник ; род. 1971) |
Электроника на основе нитрида галлия : [перевод с английского] / Р. Куэй |
|
1977 |
|
Полупроводниковые пленки для микроэлектроники / отв. ред. Л. Н. Александров, В. И. Петросян ; АН СССР, Ин-т физики полупроводников |
|
1979 |
Папков, Владимир Сергеевич (доктор химических наук) |
Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе / В. С. Папков, М. Б. Цыбульников ; под ред. А. Ю. Малинина |
|
2019 |
Федотов, Сергей Дмитриевич |
Разработка и исследование технологических режимов газофазной гетероэпитаксии тонких слоев кремния на сапфире с улучшенными характеристиками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Федотов Сергей Дмитриевич ; [Институт нано- и микросистемной техники (НМСТ), Национальный исследовательский университет "МИЭТ"] |