unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ		История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления
Профессионалам
ПоискЭкспорт данных/ Z39.50BelmarcМетодические решения

   Запрос: a001="BY-SEK-195738"
   Записи: 1 - 6 из 6 (стр. 1 из 1)

Сортировать по: 
№Дата Автор Заглавие
1989   Экспериментальное обнаружение фотоиндуцированной электрооптической нелинейности в области примесного поглощения полупроводника / С. А. Быстримович [и др.]
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs И n-InP в области края фундаментального поглощения : Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / И.А.Уткин; НАН Респ.Беларусь. Ин-т физики им. Б.И.Степанова
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs И n-InP в области края фундаментального поглощения : Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук / Нац. акад. наук Беларуси. Ин-т физики им. Б.И.Степанова
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : защищена в 2004 г. : утверждена 20.04.05 : 01.04.05 / Уткин Илья Анатольевич
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 : 2004 г. / Уткин Илья Анатольевич ; Науч. гос. учреждение "Ин-т физики им. Б.И.Степанова Нац. акад. наук Беларуси"
2004 Уткин, Илья Анатольевич (кандидат физико-математических наук) Нелинейное поглощение, рефракция и резонаторная бистабильность в сильно легированных кристаллах n-GaAs и n-InP в области края фундаментального поглощения : дис.... канд. физ.-мат. наук / Уткин Илья Анатольевич ; Нац. акад. наук Беларуси, Отд. опт. проблем информатики
Записей на стр.

Служба технической поддержки:
+375 17 293 29 78
skk@nlb.by
© Государственное учреждение "Национальная библиотека Беларуси", 2015-2024
© Поисковая система разработана Объединенным институтом проблем информатики НАН Беларуси