unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

   Запрос: a001="BY-NLB-ar6883"
   Записи: 1 - 20 из 30 (стр. 1 из 2)

Сортировать по: 
Дата Автор Заглавие
2000 Якимова, Елена Владиленовна Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Якимова Елена Владиленовна ; Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе
1987 Барасьев, Сергей Владимирович Разработка низкотемпературных процессов формирования плазменных анодных окислов арсенида галлия для изготовления ИМС : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 : 04.06.1987 / Барасьев Сергей Владимирович ; Минский радиотехнический институт
2005 Наконечников, Александр Владимирович Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства полупроводников для эффективных эмиттеров : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.01 / Наконечников Александр Владимирович ; [Северо-Осетинский государственный университет им. К.Л.Хетагурова]
2005 Соловьев, Юрий Владимирович Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06 / Соловьев Юрий Владимирович ; [ЗАО "Светлана-Электронприбор"]
2004 Беспалов, Владимир Александрович (доктор технических наук ; род. 1958) Исследование и разработка ИК-фотоприемных и СВЧ интергральных микросхем на основе арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук : 05.27.01 / Беспалов Владимир Александрович ; [Московский государственный институт электронной техники]
1999 Сумец, Максим Петрович Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Воронеж. гос. технол. акад
1995 Каримов, Абдулазиз Вахитович Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с тонким квазиизопериодическим переходом : Автореф.дис.на соиск.учен.степ.д-ра физ.-мат.наук : 01.04.10 / АН Респ.Узбекистан,Физ.-техн.ин-т им.С.В.Стародубцева,НПО "Физика-Солнце" им.С.А.Азимова
1999 Оджаев, Владимир Борисович (доктор физико-математических наук ; род. 1955) Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ин-т физики твердого тела и полупроводников Нац. акад. наук Беларуси
1999 Емельяненко, Юрий Савельевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1948) Исследование двухслойных структур на основе фосфида индия и арсенида галлия фотолюминесцентным методом : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : 10.12.1999 : 12.04.2000 / Нац. акад. наук Беларуси, Ин-т электроники
1996 Статов, Виктор Анатольевич Исследование физики межфазных взаимодействий на границе раздела тугоплавкий металл-арсенид галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников
2006 Котляров, Юрий Владимирович Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.11.14 / Котляров Юрий Владимирович ; [Московский государственный университет приборостроения и информатики]
1995 Байдусь, Николай Владимирович Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Нижегород. гос. ун-т им Н.И.Лобачевского
2005 Севостьянов, Виктор Андреевич Автоматизация проектирования микроволновых переключателей на базе арсенид-галлиевого полевого транзистора с затвором шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.13.12 / Севостьянов Виктор Андреевич ; [Рязанская государственная радиотехническая академия]
1999 Оджаев, Владимир Борисович (доктор физико-математических наук ; род. 1955) Генерация, взаимодействие и отжиг радиационных дефектов в кремнии, арсениде галлия и высокомолекулярных соединениях при последовательной ионной имплантации : Дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 : 17.12.1999 : 23.02.2000 / Бел. гос. ун-т
1990 Утенко, Виктор Иванович Электрофизические и оптические свойства ядерно легированного арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Утенко Виктор Иванович ; Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР
2005 Каримов, Абдулазиз Вахитович Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом / А.В.Каримов, Д.М.Ёдгорова ; Академия наук Республики Узбекистан, Физико-технический институт им. С.В.Стародубцева, НПО "Физика-Солнце"
1998 Хомич, Андрей Валерьевич (кандидат физико-математических наук) Моделирование методом Монте-Карло переноса электронов в слоистых полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия : Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.13.16 ; 01.04.04 : 05.03.1999 : 30.06.1999 / БГУ
1992 Доросинец, Владимир Адамович (кандидат физико-математических наук ; род. 1958) Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Бел. гос. ун-т им. В.И.Ленина
1995 Котов, Геннадий Иванович (доктор физико-математических наук) Электронные процессы на поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогенов : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Воронеж. гос. ун-т
2003 Егоркин, Владимир Ильич (кандидат технических наук) Исследование акустического переноса зарядов в гетероструктурах на основе арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : 05.27.01 / Егоркин Владимир Ильич ; [Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т)]
Записей на стр.
Перейти к стр.:      1    >>