| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2011 |
Пономарев, Иван Викторович |
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Пономарев Иван Викторович ; [Национальный исследовательский Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова] |
|
2012 |
Юрасов, Дмитрий Владимирович (кандидат физико-математических наук ; род. 1985) |
Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юрасов Дмитрий Владимирович ; [Институт физики микроструктур Российской академии наук] |
|
2013 |
Романов, Вячеслав Витальевич |
Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Романов Вячеслав Витальевич ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2014 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2016 |
Левин, Роман Викторович |
Исследование и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Левин Роман Викторович ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2009 |
Шашкин, Владимир Иванович (доктор физико-математических наук ; род. 1959) |
Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Шашкин Владимир Иванович ; [Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН] |
|
2009 |
Быстров, Дмитрий Сергеевич |
Наноструктурное регулирование реакционной способности антифрикционных свойств поверхности алюминия и стали : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04 / Быстров Дмитрий Сергеевич ; [Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный горный институт им. Г. В. Плеханова (технический университет)] |
|
2010 |
Исаков, Михаил Александрович |
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физко-математических наук : 05.27.01 / Исаков Михаил Александрович ; [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2015 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский политехнический университет] |
|
2016 |
Дорохин, Михаил Владимирович (кандидат физико-математических наук) |
Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник A3B5 : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Дорохин Михаил Владимирович ; [Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2010 |
Истомин, Леонид Анатольевич |
Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Истомин Леонид Анатольевич ; [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2002 |
|
Low-dimensional nitride semiconductors / Ed. by B.Gil |
|
2009 |
Кудрин, Алексей Владимирович |
Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Кудрин Алексей Владимирович ; [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2010 |
Зубелевич, Виталий Зигмундович (кандидат физико-математических наук ; род. 1978) |
Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III) : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.21 / Зубелевич Виталий Зигмундович ; Государственное научное учреждение "Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси" |
|
2010 |
Вагапова, Наргиза Тухтамышевна |
Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мосгидридной эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : 05.27.06 / Вагапова Наргиза Тухтамышевна ; [Мосовская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова, ООО "Сигм плюс"] |
|
2011 |
Цюк, Александр Игоревич |
Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Цюк Александр Игоревич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2019 |
Цацульников, Андрей Федорович (кандидат физико-математических наук) |
Светоизлучающие III-N гетероструктуры с трехмерной локализацией носителей заряда : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Цацульников Андрей Федорович ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук] |
|
2001 |
Субач, Сергей Владимирович |
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Субач Сергей Владимирович ; [Сиб. физ.-техн. ин-т им. В.Д.Кузнецова при Том. гос. ун-те] |
|
2010 |
Миронов, Алексей Юрьевич |
Квантовый транспорт в тонких пленках нитрида титана : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Миронов Алексей Юрьевич ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук] |
|
2010 |
Арбенин, Дмитрий Евгеньевич |
Совершенствование технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур методом MOC-гидридной эпитаксии на основе программного комплекса : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.13.01 / Арбенин Дмитрий Евгеньевич ; [ФГУП НИИ "Полюс", Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ