| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2013 |
Курмачев, Виктор Алексеевич |
Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Курмачев Виктор Алексеевич ; [Научно-производственное предприятие "Пульсар"] |
|
2014 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2018 |
Сысоева, Светлана Геннадьевна |
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Сысоева Светлана Геннадьевна ; [Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ФГАОУ ВО НИ ТПУ)] |
|
2018 |
Борисов, Евгений Вадимович |
Оптические свойства легированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия и выращенных методом магнетронного распыления оксидов цинка и меди : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Борисов Евгений Вадимович ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный университет |
|
2011 |
Шабунина, Евгения Игоревна |
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Шабунина Евгения Игоревна ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2012 |
Семисалова, Анна Сергеевна |
Особенности магнитных свойств разбавленных магнитных полупроводников на основе Si, InAs, GaN и ZnO : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.11 Физика магнитных явлений / Семисалова Анна Сергеевна ; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Физический факультет |
|
2014 |
Ермаков, Виктор Сергеевич |
Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Ермаков Виктор Сергеевич ; [Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова] |
|
2015 |
Александров, Иван Анатольевич |
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Александров Иван Анатольевич ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова] |
|
2015 |
Вороненков, Владислав Валерьевич |
Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Вороненков Владислав Валерьевич ; [Санкт-Петербургский политехнический университет] |
|
2020 |
Seidel, Achim |
Highly integrated gate drivers for Si and GaN power transistors : der Fakultät fur Elektrotechnik und Informatik der Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover zur Erlangung des akademischen Grades Doktor-Ingenieur (abgekurzt: Dr.-Ing,) genehmigte Dissertation / Achim Seidel |
|
2022 |
Шугуров, Константин Юрьевич |
Нитевидные нанокристаллы нитрида галлия на кремнии: свойства и приборное применение : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 1.3.2 (01.04.01) Приборы и методы экспериментальной физики / Шугуров Константин Юрьевич ; [Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет им. Ж. И. Алферова Российской академии наук] |
|
2010 |
Сизов, Виктор Сергеевич |
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сизов Виктор Сергеевич ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе] |
|
2010 |
Беспалов, Алексей Викторович |
Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06 / Беспалов Алексей Викторович ; [Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)] |
|
2012 |
Донсков, Александр Андреевич |
Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.17.01 Технология неорганических веществ / Донсков Александр Андреевич ; [Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллургической промышленности «Гиредмет»] |
|
2013 |
Карабешкин, Константин Валерьевич |
Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальности 01.04.04Физическая электроника, 01.04.10 Физика полупроводников / Карабешкин Константин Валерьевич ; [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет] |
|
2016 |
Конаков, Антон Алексеевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1989) |
Спиновое смешивание и электронные переходы в структурах на основе кремния, нитрида галлия и двумерных топологических изоляторов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Конаков Антон Алексеевич ; [Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2017 |
Вергелес, Павел Сергеевич |
Исследование методами растровой электронной микроскопии пленок и гетероструктур на основе нитрида галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Вергелес Павел Сергеевич ; [Институт проблем технологии Российской академии наук] |
|
2018 |
Медведев, Олег Сергеевич |
Дислокационная люминесценция в нитриде галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Медведев Олег Сергеевич ; [Санкт-Петербургский государственный университет] |
|
2019 |
|
Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5 / Федеральное государственное автономное научное учреждение "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова" Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) ; под общей редакцией П. П. Мальцева |
|
2021 |
Чернодубов, Даниил Андреевич |
Теплопроводность нитрида галлия и структур на его основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Чернодубов Даниил Андреевич ; [Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ