| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2002 |
Балашев, Вячеслав Владимирович |
Формирование поверхности Si (111) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Балашев Вячеслав Владимирович ; [Ин-т автоматики и процессов упр. Дальневост. отд-ния РАН] |
|
2000 |
Кудряшов, Игорь Вениаминович |
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Кудряшов Игорь Вениаминович ; Физ.-мат. ин-т им. А.Ф.Иоффе Рос. акад. наук |
|
2001 |
Цырлин, Георгий Эрнстович |
Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.01; 01.04.10 / Цырлин Георгий Эрнстович ; Рос. акад. наук, Ин-т аналит. приборостроения |
|
2001 |
Егоров, Вячеслав Анатольевич |
Полупроводниковые структуры для волоконно-оптических линий связи, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностями : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Егоров Вячеслав Анатольевич ; Ин-т аналит. приборостроения |
|
2002 |
Шенгуров, Владимир Геннадьевич |
Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : [специальность] 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Шенгуров Владимир Геннадьевич ; [Нижегородсккий государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2011 |
Яблонский, Артем Николаевич (кандидат физико-математических наук ; род. 1978) |
Фотолюминесценция, спектры возбуждения и кинетика излучательной релаксации в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Яблонский Артем Николаевич ; [Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН)] |
|
2011 |
Царик, Константин Анатольевич (кандидат технических наук) |
Разработка и исследование технологии формирования наноструктур на основе нитридов элементов III группы : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Царик Константин Анатольевич ; [Национальный исследовательский университет "МИЭТ"] |
|
2012 |
Эрвье, Юрий Юрьевич (кандидат физико-математических наук) |
Элементарные процессы на ступенях в кинетике эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Эрвье Юрий Юрьевич ; [Национальный исследовательский Томский государственный университет] |
|
2012 |
Юрасов, Дмитрий Владимирович (кандидат физико-математических наук ; род. 1985) |
Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юрасов Дмитрий Владимирович ; [Институт физики микроструктур Российской академии наук] |
|
2012 |
Рабинович, Олег Игоревич |
Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов : учебно-методическое пособие / О. И. Рабинович, Д. Г. Крутогин, В. А. Евсеев ; Министерство образования и науки РФ, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Кафедра технологии материалов электроники |
|
2013 |
Валов, Георгий Владимирович (кандидат физико-математических наук) |
Процессы массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации кремния с использованием микроразмерной ростовой ячейки : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Валов Георгий Владимирович ; [Южный научный центр Российской академии наук] |
|
2018 |
Майборода, Иван Олегович |
Механизмы формирования высокотемпературных слоев AlN и AlGaN в аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Майборода Иван Олегович ; Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" |
|
2000 |
Токранов, Вадим Ефимович |
Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных лазерных InGaAs/AlGaAs гетероструктур : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Токранов Вадим Ефимович ; Физико-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе Рос. акад. наук |
|
2005 |
Григорьев, Денис Валерьевич |
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Григорьев Денис Валерьевич ; [Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете] |
|
2006 |
Васильевский, Иван Сергеевич (кандидат физико-математических наук ; физик) |
Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs и GaAs/InyGa1-yAs/GaAs : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.09 / Васильевский Иван Сергеевич ; Московский государственный университетим. М.В.Ломоносова, Физический факультет |
|
2006 |
Погосов, Артур Григорьевич |
Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Погосов Артур Григорьевич ; [Институт физики полупроводников СО РАН] |
|
2010 |
Швец, Василий Александрович (доктор физико-математических наук ; род. 1953) |
Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Cd1-x HgхTe : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.01 / Швец Василий Александрович ; [Учреждение Российской академия наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН] |
|
2010 |
Исаков, Михаил Александрович |
Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физко-математических наук : 05.27.01 / Исаков Михаил Александрович ; [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского] |
|
2013 |
Лапин, Вячеслав Анатольевич (кандидат технических наук) |
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GeSi/Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : специальность 01.04.15 Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика / Лапин Вячеслав Анатольевич ; [Северо-Кавказский федеральный университет, Южный научный центр РАН] |
|
2016 |
Никифоров, Александр Иванович (доктор физико-математических наук) |
Формирование наногетероструктур с квантовыми точками на основе германия в кремнии методом МЛЭ : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Никифоров Александр Иванович ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ