| № | Дата |
Автор |
Заглавие |
|---|
|
2012 |
Гуда, Александр Александрович (доктор физико-математических наук ; род. 1987) |
Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Гуда Александр Александрович ; [Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону] |
|
2018 |
Сысоева, Светлана Геннадьевна |
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Сысоева Светлана Геннадьевна ; [Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ФГАОУ ВО НИ ТПУ)] |
|
2011 |
Шабунина, Евгения Игоревна |
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Шабунина Евгения Игоревна ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] |
|
2010 |
Сизов, Виктор Сергеевич |
Особенности формирования InGaN/(In,Al)GaN активной области для светоизлучающих приборов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Сизов Виктор Сергеевич ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе] |
|
2011 |
Комиссарова, Татьяна Александровна |
Электрофизические свойства нитрида индия и твердых растворов на его основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Комиссарова Татьяна Александровна ; Российская академия наук Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе |
|
2010 |
Карташова, Анна Петровна |
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Карташова Анна Петровна ; Учреждение Российской академии наук "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе" РАН, Балтийский государственный технический университет "ВОЕНМЕХ" им. Д. Ф. Устинова] |
|
2011 |
Мамутин, Владимир Васильевич (кандидат физико-математических наук) |
Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Мамутин Владимир Васильевич ; [Учреждение Российской академии наук "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН"] |
|
2013 |
Рудинский, Михаил Эдуардович |
Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Рудинский Михаил Эдуардович ; [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук] |
|
2022 |
Бушуйкин, Павел Александрович (кандидат физико-математических наук ; род. 1991) |
Оптические и фотоэлектрические свойства нитрида индия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств / Бушуйкин Павел Александрович ; [Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук (ФИЦ ИПФ РАН)] |
СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ