unicat.nlb.by СВОДНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ КАТАЛОГ
БИБЛИОТЕК БЕЛАРУСИ
История поисков Справка
 
Базовый поискРасширенный поискCловариГРНТИНовые поступления

   Запрос: a001="BY-NLB-ar13824121"
   Записи: 1 - 5 из 5 (стр. 1 из 1)

Сортировать по: 
Дата Автор Заглавие
2001 Галицын, Юрий Георгиевич Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук : 02.00.21 / Галицин Юрий Георгиевич ; Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, Ин-т химии твердого тела и механохимии Сиб. отд-ния Рос. акад. наук
2017 Рогило, Дмитрий Игоревич Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111) : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальностт 01.04.07 Физика конденсированного состояния, 01.04.10 Физика полупроводников / Рогило Дмитрий Игоревич ; [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
2000 Новиков, Павел Леонидович Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : Автореферат дисссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Новиков Павел Леонидович ; [Сибирское отделение Российской академии наук]
2000 Матюшкин, Игорь Валерьевич (кандидат физико-математических наук) Математическое моделирование технологических процессов на примере автоэпитаксии кремния : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.13.18 / Матюшкин Игорь Валерьевич ; [Моск. физ.-технол. ин-т (гос. ун-т)]
2022 Косолобов, Сергей Сергеевич (кандидат физико-математических наук) Высокотемпературные атомные процессы на границе раздела кремний-вакуум при сублимации, эпитаксии, термическом травлении кислородом и осаждении золота : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : специальность 1.3.8 Физика конденсированного состояния / Косолобов Сергей Сергеевич ; [место защиты: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Сколковский институт науки и технологий]
Записей на стр.