История поисков |
Базовый | Расширенный | Номера/Индексы | Булевский | По словарям |
---|
Справка
Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова (Новосибирск) |
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. В 2006 г. Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова.
Варианты наименования
ИФП СО РАН (Новосибирск) (сокращение) |
Российская академия наук. Сибирское отделение. Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова (Новосибирск) |
См. также
Институт физики полупроводников (Новосибирск) (предыдущий заголовок) |
Источники информации
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / [Ф. А. Кузнецов и др.]. — Новосибирск, 2013.
Сайт Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова.
Чтобы вернуться назад, щелкните кнопку BACK на Вашем браузере
© Государственное учреждение "Национальная библиотека Беларуси", 2015-2024 © Поисковая система разработана Объединенным институтом проблем информатики НАН Беларуси |