История поисков

=LDR  00000cx\\b22002173\\45\\
=001  BY-SEK-ar13389200
=005  20201229164954.4
=100  \\$a20181120abely50\\\\\\ca0
=102  \\$aRU
=150  \\$ay
=152  \\$aRCR$bBY-auth
=106  \\$a0
=210  02$aНаучно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур$cСанкт-Петербург
=300  0\$aСоздан в 1991 г. с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.
=410  02$5t$aНТЦ микроэлектроники и субмикронных гетероструктур$cСанкт-Петербург
=410  02$5t$aНТЦ микроэлектроники РАН$cСанкт-Петербург
=801  \2$aBY$bBY-HM0000$c20201229
=801  \0$aBY$bSEK$c20181120
=810  \\$aNanostructures: physics and technology : proceedings [of the] 26th International Symposium, Minsk, Republic of Belarus, June 18–22, 2018 / [organizing committee: Zh. Alferov, L. Esaki (co-chairs) [et al.] ; B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Akademy of Sciences of Belarus ; Ioffe Physical-Technical Institute ; Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the RAS ; Saint Petersburg National Research Academic University of the RAS. — Минск, 2018.
=856  4\$uhttp://ntcm-ras.ru/about-us/o-kompanii/$zСайт Научно-технологического центра микроэлектроники исубмикронных гетероструктур Российской академии наук.$zДата обращения: 29.12.2020.
=999  \\$g2487 NLB-NDARD$t20201229