История поисков |
Базовый | Расширенный | Номера/Индексы | Булевский | По словарям |
---|
Запись в MARC-формате
копировать MARC-запись |
=LDR 00000cx\\j22002893\\45\\
=001 BY-NLB-ar55300
=005 20221215104939.2
=100 \\$a20001231arusy50\\\\\\ca0
=152 \\$bDVNLB
=250 \\$8rusrus$aМДП-СТРУКТУРЫ
=300 1\$aУпорядоченная совокупность тонких слоёв металла и диэлектрика, нанесенных на полупроводниковую пластину. Состоит из затвора, подзатворного диэлектрика, полупроводниковой подложки и омического контакта.
=450 \\$aКМДП-структуры
=450 \\$aкомплементарные металл-диэлектрик-полупроводник структуры
=450 \\$aметалл-диэлектрик-полупроводник структуры
=450 \\$aполупроводник-металл-диэлектрик структуры
=550 \\$5w$3BY-NLB-ar2115172$aМДП-СТРУКТУРЫ
=550 \\$5h$3BY-NLB-ar7329625$aОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
=550 \\$5h$3BY-NLB-ar14373457$aЗАТВОРЫ (электроника)
=550 \\$5h$3BY-NLB-ar24113$aПОДЛОЖКИ (электроника)
=550 \\$5h$3BY-NLB-ar14367568$aПОДЗАТВОРНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
=686 \\$2rugasnti$a47
=801 \2$aBY$bBY-HM0000$c20221215
=801 \0$aBY$bBY-HM0000$c20001231
=801 \1$aBY$bBY-HM0000$c20040804
=810 \\$aБольшая Российская энциклопедия. [В 35 т.]. Т. 19. — Москва, 2012.
=810 \\$aТерминологический словарь по электронной технике. — Санкт-Петербург, 2001.
=856 4\$uhttp://www.nilc.ru/$zБД "Авторитетные файлы" Национального информационно-библиотечного центра ЛИБНЕТ.
=999 \\$g2088 NLB-NDARD$t20221215
=999 \\$g40$t20110923
=999 \\$g1244$t20061028
Чтобы вернуться назад, щелкните кнопку BACK на Вашем браузере
© Государственное учреждение "Национальная библиотека Беларуси", 2015-2024 © Поисковая система разработана Объединенным институтом проблем информатики НАН Беларуси |