unicat.nlb.by История поисков 
БазовыйРасширенныйНомера/ИндексыБулевскийПо словарям

Запись в MARC-формате

копировать MARC-запись

=LDR  00000nx\\a22002293\\45\\
=001  BY-NLB-ar14209804
=005  20220407120919.3
=100  \\$a20220407arusy50\\\\\\ca0
=101  \\$arus
=102  \\$aBY
=120  \\$aaa
=152  \\$aRCR$bBY-auth
=106  \\$a0
=200  \1$aЗбышинская$bМ. Е.$gМария Евгеньевна$cэлектроника
=340  \\$aБелорусский специалист в области электронной техники и микроэлектронного производства. Выпускница Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники (2016), магистр технических наук (2018); защищалась по специальности "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники".
=400  \1$8rusbel$aЗбышынская$bМ. Я.$gМарыя Яўгеньеўна$cэлектроніка
=801  \0$aBY$bBY-HM0000$c20220407
=810  \\$aКонтактно-барьерные структуры субмикронной электроники / под редакцией А. П. Достанко и В. Л. Ланина. — Минск, 2021.
=830  \\$aПеревод заголовка на белорусский язык выполнен каталогизатором.
=856  4\$uhttps://libeldoc.bsuir.by/browse?type=author&value=%D0%97%D0%B1%D1%8B%D1%88%D0%B8%D0%BD%D1%81%D0%BA%D0%B0%D1%8F%2C+%D0%9C.+%D0%95.$zСайт "Репозиторий БГУИР : электронный архив научных публикаций сотрудников и преподавателей БГУИР".$zДата обращения: 07.04.2022.
=856  4\$uhttps://vk.com/id16912028$zСоциальная сеть "В контакте".$zДата обращения: 07.04.2022.
=999  \\$f117 NLB-NDARD$t20220407

Чтобы вернуться назад, щелкните кнопку BACK на Вашем браузере